描述 | TRANS PNP DUAL 30V 100MA SOT-363 | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 100mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 30V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | 650mV @ 5mA,100mA |
电流 - 集电极截止(最大) | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 420 @ 2mA,5V |
功率 - 最大 | 380mW | 频率 - 转换 | 100MHz |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
供应商设备封装 | SOT-363 | 包装 | 带卷 (TR) |
【ON Semiconductor】BC858CDW1T1G,TRANS PNP DUAL 30V 100MA SOT-363
【ON Semiconductor】BC858CDXV6T1,Transistors Bipolar (BJT) 100mA 30V Dual PNP
【ON Semiconductor】BC858CDXV6T1G,TRANS PNP DUAL 30V 100MA SOT-563
【ON Semiconductor】BC858CDXV6T5,TRANS PNP DUAL 100MA30V SOT563
【ON Semiconductor】BC858CDXV6T5G,TRANS PNP DUAL 100MA30V SOT563