| 描述 | TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT-23 | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 100mA |
|---|---|---|---|
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 30V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大） | 650mV @ 5mA，100mA |
| 电流 - 集电极截止（最大） | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 200 @ 2mA，5V |
| 功率 - 最大 | 310mW | 频率 - 转换 | 150MHz |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 供应商设备封装 | SOT-23 | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】BC859BMTF_Q,Transistors Bipolar (BJT) SOT-23 PNP GP AMP
【NXP Semiconductors】BC859BW /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-11
【NXP Semiconductors】BC859BW T/R,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-7
【NXP Semiconductors】BC859BW,115,TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323
【NXP Semiconductors】BC859BW,135,TRANSISTOR PNP 30V 100MA SOT323
