| 描述 | Transistors Bipolar (BJT) NPN Silicon Double TRANSISTOR | 最大直流电集电极电流 | 0.1 A |
|---|---|---|---|
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 100 at 0.1 mA at 5 V | 配置 | Dual Common Base |
| 最大工作频率 | 250 MHz | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | SOT-143 |
| 封装 | Reel | 最小工作温度 | - 65 C |
| 功率耗散 | 300 mW | 工厂包装数量 | 3000 |
| 零件号别名 | BCV61AE6327XT |
