描述 | TRANSISTOR NPN 32V 200MA SST3 TR | 电流 - 集电极 (Ic)(最大) | 200mA |
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电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 32V | Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大) | - |
电流 - 集电极截止(最大) | - | 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 260 @ 2mA,5V |
功率 - 最大 | - | 频率 - 转换 | 125MHz |
安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
供应商设备封装 | SST3 | 包装 | 带卷 (TR) |
【Fairchild Semiconductor】BCW60D,TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT-23
【NXP Semiconductors】BCW60D /T3,Transistors Bipolar (BJT) TRANS GP TAPE-11
【NXP Semiconductors】BCW60D,215,TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
【NXP Semiconductors】BCW60D,235,TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23
【Fairchild Semiconductor】BCW60D_Q,Transistors Bipolar (BJT) NPN/ 32V/ 100mA