描述 | Transistors Bipolar (BJT) 40W NPN Silicon | 最大直流电集电极电流 | 3 A |
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直流集电极/Base Gain hfe Min | 25 | 配置 | Single |
最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | Through Hole |
封装 / 箱体 | TO-220 | 最小工作温度 | - 65 C |
功率耗散 | 40000 mW | 工厂包装数量 | 50 |
信号作为cpld的输入时钟信号。 红外线发射与接收模块的作用是利用红外线检测各个存包柜内是否有物品,通过红外接收模块将检测结果反馈到cpld,然后由cpld发送给主机。 rs-485通信模块中使用了光耦器件4n25进行光电隔离以抑制噪声对通信线路的干扰,并由一片rs-485收发器芯片sn75lbc184实现ttl电平与rs-485电平之间的转换。 电磁锁驱动模块负责对cpld输出的3.3v开门信号进行放大,以驱动电磁锁进行开关动作。为保证输出功率,采用了二极计流放大,电磁锁由末级功放管bd241驱动。每个分机控制八个箱位,因此如图3所示的驱动电路共有八路。 另外,本系统还选用了三晶公司生产的sje-102磁卡读写器和sje-451读卡器作为磁卡读写设备,分别与主机、分机相连接。 2.2 cpld内部逻辑设计 cpld内部逻辑的顶层原理图如图4所示。由图可见,cpld内部逻辑电路由主控模块(main)、串行数据收发模块(s8)、磁卡数据接收模块(mag_s8)、磁卡数据缓冲模块(mag)以及开门信号延时模块(door)和报警模块(beep)几部分组成。 2.2.1 主控部分的设计 ...
n2的正相输入端电压低于反相输入端电压,n2输出低电平;当gb充满电后,n2的正相输入端电压高于反相输入端电压,n2输出高电平,使v3截止,vl2熄灭,充电结束。 元器件选择 rl、r2、r4~r9和rll均选用1/4w碳膜电阻器;r3和rlo均选用2w金属膜电阻器。 cl和c2均选用耐压值为16v的铝电解电容器。 vd选用1n4007型硅整流二极管。 vl1和vl2均选用φ5mm的普通发光二极管,vl1选红色,vl2选绿色。 ur选用2a、5ov的整流桥堆。 v1选用3dd64或bd241型中功率硅npn晶体管;v2选用s9013或c8050型硅npn晶体管;v3选用cd5o或bd242型中功率硅pnp晶体管。 vt选用1a、loov的晶闸管。 ic1选用lm7806型三端稳压集成电路;ic2选用lm358型双运算放大器集成电路。 t选用5~8w、二次电压为12v的电源变压器。 k选用jrx-13f型6v直流继电器。 来源:零八我的爱 ...