描述 | EMI/RFI 抑制器及铁氧体 1KOhm 25% 100MHz | 最大直流电流 | 50 mAmps |
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最大直流电阻 | 0.55 Ohms | 工作温度范围 | - 55 C to + 125 C |
封装 / 箱体 | 1206 (3216 metric) | 端接类型 | SMD/SMT |
【Murata】BLA31BD221SN4D,EMI/RFI 抑制器及铁氧体 1206 220ohm +/-25% DCR 0.35ohm
【NXP Semiconductors】BLA6G1011-200R,112,TRANS PWR LDMOS 200W SOT502A
【NXP Semiconductors】BLA6G1011L-200RG,1,射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
【NXP Semiconductors】BLA6G1011L-200RG,112,TRANS PWR LDMOS 200W SOT502
【NXP Semiconductors】BLA6G1011LS-200RG,,射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR