| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 RF LDMOS 65V 100A | 闸/源击穿电压 | 13 V |
|---|---|---|---|
| 最大工作温度 | + 150 C | 封装 / 箱体 | SOT502B |
| 封装 | Tube | 最小工作温度 | - 65 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 产品类型 | RF MOSFET Power |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.04 Ohms | 工厂包装数量 | 15 |
| 零件号别名 | BLF369 |
【NXP Semiconductors】BLF3G21-30,112,BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT467C
【NXP Semiconductors】BLF3G21-6,112,BASESTATION DVR 2.2GHZ SOT538A
【NXP Semiconductors】BLF3G21-6,135,TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT538A
【NXP Semiconductors】BLF3G22-30,112,TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT608
【NXP Semiconductors】BLF3G22-30,135,TRANSISTOR UHF PWR LDMOS SOT608
【NXP Semiconductors】BLF404,115,TRANSISTOR UHF PWR DMOS SOT409A
【NXP Semiconductors】BLF4G10-160,112,TRANSISTOR RF LDMOS SOT502A