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BLF6G10-45

描述射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS漏极连续电流13 A
闸/源击穿电压- 0.5 V, 13 V最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体CDFM封装Tube
最小工作温度- 65 C安装风格SMD/SMT
产品类型MOSFET Power电阻汲极/源极 RDS(导通)0.2 Ohms
工厂包装数量20零件号别名BLF6G10-45,112

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