| 描述 | IC BASESTATION FINAL SOT502B | 频率 | 1GHz |
|---|---|---|---|
| 增益 | 28dB | 电压 - 测试 | - |
| 额定电流 | - | 噪音数据 | - |
| 电流 - 测试 | - | 功率 - 输出 | - |
| 电压 - 额定 | - | 封装/外壳 | SOT-502B |
| 供应商设备封装 | LDMOST | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | 934060894118BLF6G10LS-160 /T3BLF6G10LS-160 /T3-ND |
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-160RN,11,TRANS LDMOS POWER 160W SOT-502B
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-160RN:11,射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 39A 3-Pin
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-200 /T3,射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-200,112,IC BASESTATION FINAL SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-200,118,IC BASESTATION FINAL SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-200R /T3,射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-200R,112,IC BASESTATION FINAL SOT502B