| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | 漏极连续电流 | 49 A |
|---|---|---|---|
| 闸/源击穿电压 | - 0.5 V to + 13 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT502B | 封装 | Reel - 13 in |
| 最小工作温度 | - 65 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品类型 | MOSFET Power | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.06 Ohms |
| 工厂包装数量 | 100 | 零件号别名 | BLF6G10LS-200R,118 |
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-200R,112,IC BASESTATION FINAL SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-200R,118,IC BASESTATION FINAL SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-200RN,11,TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-200RN:11,TRANS LDMOS POWER 200W SOT-502B
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-260PRN,1,TRANS PWR LDMOS SOT539
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-260PRN:1,射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 64A 0.1Ohms
