| 描述 | RF FET LDMOS 65V SOT539 | 技术 | LDMOS |
|---|---|---|---|
| 配置 | - | 频率 | 700MHz ~ 1GHz |
| 增益 | 20dB | 电压 - 测试 | 28 V |
| 额定电流（安培） | 4.2μA | 噪声系数 | - |
| 电流 - 测试 | 1.4 A | 功率 - 输出 | 200W |
| 电压 - 额定 | 65 V | 安装类型 | 底座安装 |
| 封装/外壳 | SOT-502B | 供应商器件封装 | SOT502B |
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-200RN,11,TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-200RN:11,TRANS LDMOS POWER 200W SOT-502B
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-260PRN,1,TRANS PWR LDMOS SOT539
【NXP Semiconductors】BLF6G10LS-260PRN:1,射频MOSFET电源晶体管 Single 65V 64A 0.1Ohms
【NXP Semiconductors】BLF6G10S-45,112,IC BASESTATION DRIVER SOT608B
