| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor | 输出功率 | 2.5 W |
|---|---|---|---|
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V | 漏极连续电流 | 11 A |
| 闸/源击穿电压 | 11 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-1135A | 封装 | Tube |
| 安装风格 | SMD/SMT | 工厂包装数量 | 60 |
【NXP Semiconductors】BLF6G15L-40RN,118,射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor
【NXP Semiconductors】BLF6G15L-500H,112,TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT539A
【NXP Semiconductors】BLF6G15LS-250PBRN:,射频MOSFET电源晶体管 RF MOSFET POWER RF POWER TRANSISTOR
【NXP Semiconductors】BLF6G15LS-40RN,112,射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor
【NXP Semiconductors】BLF6G15LS-40RN,118,射频MOSFET电源晶体管 Pwr LDMOS transistor transistor
【NXP Semiconductors】BLF6G15LS-500H,112,TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT539B
【NXP Semiconductors】BLF6G20-110,112,IC BASESTATION FINAL SOT502A