| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | 漏极连续电流 | 29 A |
|---|---|---|---|
| 闸/源击穿电压 | 13 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT502B | 封装 | Reel |
| 最小工作温度 | - 65 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.16 Ohms | 工厂包装数量 | 100 |
| 零件号别名 | BLF6G20LS-110,118 |
【NXP Semiconductors】BLF6G20LS-110,112,IC BASESTATION FINAL SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G20LS-110,118,IC BASESTATION FINAL SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G20LS-140,112,IC BASESTATION FINAL SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G20LS-140,118,IC BASESTATION FINAL SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G20LS-180RN,11,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G20LS-180RN:11,射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS