| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 TRANSISTOR PWR LDMOS | 输出功率 | 40 W |
|---|---|---|---|
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V | 漏极连续电流 | 49 A |
| 闸/源击穿电压 | 13 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-502B | 封装 | Reel |
| 安装风格 | SMD/SMT | 工厂包装数量 | 100 |
【NXP Semiconductors】BLF6G20LS-75 /T3,射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS
【NXP Semiconductors】BLF6G20LS-75,112,IC BASESTATION FINAL SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G20LS-75,118,IC BASESTATION FINAL SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G20S-230PRN,11,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT539B
【NXP Semiconductors】BLF6G20S-230PRN:11,射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
【NXP Semiconductors】BLF6G20S-45,112,TRANSISTOR POWER LDMOS SOT608A
【NXP Semiconductors】BLF6G20S-45,118,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT608B