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BLF6G20LS-75 /T3

描述射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS漏极连续电流18 A
闸/源击穿电压13 V最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体SOT502B封装Reel
最小工作温度- 65 C安装风格SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.235 Ohms工厂包装数量100
零件号别名BLF6G20LS-75,118

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