| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | 漏极连续电流 | 34 A |
|---|---|---|---|
| 闸/源击穿电压 | 13 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT502B | 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 65 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品类型 | MOSFET Power | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.135 Ohms |
| 工厂包装数量 | 20 | 零件号别名 | BLF6G22LS-130,112 |
a的输出信号进行合成，完成信号的校正，其最大的缺点是系统复杂、难以调试，有效带宽受限。与以上两种线性化手段相比较，模拟预失真系统结构简单，容易调试，效率也可满足需求，因此已成为现在比较受欢迎的线性化方法。 不过，模拟预失真最重要的就是选择合适的非线性器件，其特性要和ldmos非常接近，才能模拟出pa的非线性特性，最终达到预失真的效果。而这样的器件选择需要大量的实验数据和验证，这给前期研发带来很大挑战。 本文采用scintera公司内部集成的新型预失真芯片sc1887，配合nxp公司的blf6g22ls-130，使用doherty结构，前级推动使用blm6g22-30g，最终完成wcdma 30w功率输出，为直放站客户提供了一种针对20w整机的高效、节能的解决方案。 sc1887预失真电路构成 与传统的模拟预失真电路相比较，sc1887大幅简化了预失真电路的结构，减少了外围元器件的应用，从而使得整个电路更加紧凑、更易小型化；同时进一步提升了系统可靠性。实现原理如图1所示。 图1 sc1887预失真实现框图 该电路采用了闭环结构，对消效果比传统的开环结构更优异。该芯片通过调节rf ...
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-130,112,TRANSISTOR BASE STATION SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-130,118,IC BASESTATION DRIVER SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-180PN,11,TRANSISTOR PWR LDMOS SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-180PN:11,射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-180RN,11,TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-180RN:11,射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-40BN,112,射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR 40W
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-40BN,118,射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR 40W