| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 PWR LDMOS TRANSISTOR | 输出功率 | 50 W |
|---|---|---|---|
| 汲极/源极击穿电压 | 65 V | 漏极连续电流 | 25 A |
| 闸/源击穿电压 | 13 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT-539B | 封装 | Reel |
| 安装风格 | SMD/SMT | 工厂包装数量 | 100 |
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-180RN,11,TRANSISTOR POWER LDMOS SOT502B
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-180RN:11,射频MOSFET电源晶体管 Trans MOSFET N-CH 65V 49A 3-Pin
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-40BN,112,射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR 40W
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-40BN,118,射频MOSFET电源晶体管 POWER LDMOS TRANSISTOR 40W
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-40P,112,TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1121B
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-40P,118,TRANSISTOR RF PWR LDMOS SOT1121B
【NXP Semiconductors】BLF6G22LS-75,112,TRANS BASESTATION 2-LDMOST