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  • BLF7G15L-300P,112

BLF7G15L-300P,112

描述射频MOSFET电源晶体管 Power LDMOS transistor输出功率85 W
汲极/源极击穿电压65 V漏极连续电流45 A
闸/源击穿电压13 V最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体SOT-539A封装Tube
安装风格SMD/SMT

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