| 描述 | TRANSISTOR RF POWER SOT422A | 电压 - 集电极发射极击穿（最大） | 75V |
|---|---|---|---|
| 频率 - 转换 | 3.1GHz | 噪声系数（dB典型值@频率） | - |
| 增益 | 9dB | 功率 - 最大 | 80W |
| 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE) | 40 @ 1.5A，5V | 电流 - 集电极 (Ic)（最大） | 6A |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | SOT-422A |
| 供应商设备封装 | CDFM2 | 包装 | 托盘 |
| 其它名称 | 934045770114BLS2731-50 TRAYBLS2731-50 TRAY-ND |
【NXP Semiconductors】BLS2933-100,112,TRANS MICRO PWR LDMOS SOT502A
【NXP Semiconductors】BLS3135-10 TRAY,射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL
【NXP Semiconductors】BLS3135-10,114,TRANSISTOR RF POWER SOT445C
【NXP Semiconductors】BLS3135-20 TRAY,射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL
【NXP Semiconductors】BLS3135-20,114,TRANSISTOR RF POWER SOT422A
【NXP Semiconductors】BLS3135-50,114,TRANSISTOR RF POWER SOT422A
【NXP Semiconductors】BLS3135-65 TRAY,射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL
【NXP Semiconductors】BLS3135-65,114,TRANSISTOR RF POWER SOT422A