| 描述 | 射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL | 功率耗散 | 34000 mW |
|---|---|---|---|
| 封装 / 箱体 | SOT-445 | 封装 | Tray |
| 直流集电极/Base Gain hfe Min | 40 | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 工厂包装数量 | 4 |
| 晶体管极性 | NPN | 零件号别名 | BLS3135-10,114 |
【NXP Semiconductors】BLS3135-10,114,TRANSISTOR RF POWER SOT445C
【NXP Semiconductors】BLS3135-20 TRAY,射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL
【NXP Semiconductors】BLS3135-20,114,TRANSISTOR RF POWER SOT422A
【NXP Semiconductors】BLS3135-50,114,TRANSISTOR RF POWER SOT422A
【NXP Semiconductors】BLS3135-65 TRAY,射频双极电源晶体管 BULKTR TNS-MICL
【NXP Semiconductors】BLS3135-65,114,TRANSISTOR RF POWER SOT422A
【NXP Semiconductors】BLS6G2731-120,112,TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502A