| 描述 | 射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS | 漏极连续电流 | 33 A |
|---|---|---|---|
| 闸/源击穿电压 | 13 V | 最大工作温度 | + 150 C |
| 封装 / 箱体 | SOT502B | 封装 | Tube |
| 最小工作温度 | - 65 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 0.135 Ohms | 工厂包装数量 | 20 |
| 零件号别名 | BLS6G2731-120,112 |
【NXP Semiconductors】BLS6G2731-120,112,TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502A
【NXP Semiconductors】BLS6G2731-6G,112,TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT975C
【NXP Semiconductors】BLS6G2731P-200,117,TRANS S-BAND PWR LDMOS SOM038
【NXP Semiconductors】BLS6G2731S-120,112,TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT502B
【NXP Semiconductors】BLS6G2731S-130,112,TRANS S-BAND PWR LDMOS SOT922-1