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BLS6G2731-120

描述射频MOSFET电源晶体管 LDMOS TNS漏极连续电流33 A
闸/源击穿电压13 V最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体SOT502B封装Tube
最小工作温度- 65 C安装风格SMD/SMT
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.135 Ohms工厂包装数量20
零件号别名BLS6G2731-120,112

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