| 描述 | MOSFET OptiMOS Power MOSFET | 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 800 mOhms |
|---|---|---|---|
| 配置 | Single Dual Drain Dual Source | 最大工作温度 | + 150 C |
| 安装风格 | SMD/SMT | 封装 / 箱体 | MG-WDSON-2 |
| 封装 | Reel | 下降时间 | 32.4 ns |
| 栅极电荷 Qg | 240 nC | 最小工作温度 | - 40 C |
| 功率耗散 | 89 W | 上升时间 | 47.2 ns |
| 典型关闭延迟时间 | 75 ns | 零件号别名 | BSB008NE2LX BSB008NE2LXXUMA1 |
