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BSB013NE2LXI

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSB013NE2LXI
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$1.08472
  • 10000$1.043
  • 25000$1.02214
  • 50000$1.00128
产品属性
描述MOSFET N-CH 25V 163A WDSON-2FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C163A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.3 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs62nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4400pF @ 12V功率 - 最大2.8W
安装类型表面贴装封装/外壳3-WDSON
供应商设备封装MG-WDSON-2,CanPAK M?包装带卷 (TR)
其它名称BSB013NE2LXI-NDBSB013NE2LXIXUMA1SP000756346

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