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BSB014N04LX3G

制造商：-
产品种类：MOSFET
晶体管极性：N-Channel
汲极/源极击穿电压：40 V
闸/源击穿电压：+/- 20 V

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参考价格

数量单价
1000￥9.25
3710￥9.25
5000￥8.90

产品属性

描述	MOSFET N-KANAL POWER MOS	漏极连续电流	36 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）	0.0014 Ohms	配置	Single Quad Drain Dual Source
最大工作温度	+ 150 C	安装风格	SMD/SMT
封装 / 箱体	CanPAK	封装	Reel
下降时间	10 ns	最小工作温度	- 40 C
功率耗散	2.8 W	上升时间	8.4 ns
典型关闭延迟时间	60 ns	零件号别名	BSB014N04LX3GXT

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