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BSB018NE2LX G

  • 制造商：-
  • 产品种类：MOSFET
  • 晶体管极性：N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压：25 V
  • 闸/源击穿电压：+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH漏极连续电流32 A
电阻汲极/源极 RDS（导通）0.0018 Ohms at 10 V配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C封装Reel
最小工作温度- 40 C功率耗散2.8 W
工厂包装数量1000典型关闭延迟时间42 ns
零件号别名BSB018NE2LXGXT

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