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BSB019N03LX G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET OptiMOS 2 N-CH 30V 174A 1.9mOhm漏极连续电流31 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)0.0019 Ohms配置Single Dual Drain Dual Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体WDSON封装Reel
下降时间6.4 ns最小工作温度- 40 C
功率耗散2.8 W上升时间7.8 ns
典型关闭延迟时间42 ns零件号别名BSB019N03LXGXT

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