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BSB028N06NN3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSB028N06NN3 G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$1.25112
  • 10000$1.203
  • 25000$1.17894
  • 50000$1.15488
产品属性
描述MOSFET N-CH 60V 22A WDSON-2FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C90A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.8 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 102?A闸电荷(Qg) @ Vgs143nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds12000pF @ 30V功率 - 最大78W
安装类型表面贴装封装/外壳3-WDSON
供应商设备封装MG-WDSON-2,CanPAK M?包装带卷 (TR)
其它名称BSB028N06NN3 G-NDBSB028N06NN3GXUMA1SP000605956

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