| 描述 | MOSFET N-CH 30V 100A TDSON8 | FET 特点 | 逻辑电平门 |
|---|---|---|---|
| 漏极至源极电压(Vdss) | 30V | 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.6 毫欧 @ 30A，10V | Id 时的 Vgs(th)（最大） | 2.2V @ 250?A |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs | 131nC @ 10V | 输入电容 (Ciss) @ Vds | 10000pF @ 15V |
| 功率 - 最大 | 125W | 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN | 供应商设备封装 | PG-TDSON-8 |
| 包装 | 带卷 (TR) | 其它名称 | BSC016N03LSGBSC016N03LSGXTBSC016N03LSGXT-NDQ3354123ASP000237663SP000264749 |
