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BSC018NE2LSI

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSC018NE2LSI
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.84149
  • 10000$0.80913
  • 25000$0.79294
  • 50000$0.77676
产品属性
描述MOSFET N-CH 25V 29A TDSON-8FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)25V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C1.8 毫欧 @ 30A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs36nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds2500pF @ 12V功率 - 最大69W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8包装带卷 (TR)
其它名称BSC018NE2LSI-NDBSC018NE2LSIATMA1SP000906030

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