| 描述 | MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 100A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.95 毫欧 @ 50A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1.2V @ 350?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 85nc @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 13000pF @ 10V | 功率 - 最大 | 104W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | SP000307376 |
