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  • BSC026N02KS G

BSC026N02KS G

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSC026N02KS GBSC026N02KS G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.64532
  • 10000$0.61863
  • 25000$0.60165
  • 50000$0.58224
产品属性
描述MOSFET N-CH 20V 100A TDSON-8FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C100A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.6 毫欧 @ 50A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)1.2V @ 200?A闸电荷(Qg) @ Vgs52.7nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds7800pF @ 10V功率 - 最大78W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)包装带卷 (TR)
其它名称BSC026N02KS G-NDBSC026N02KS GTRSP000379664

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