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  • BSC027N03S G

BSC027N03S G

  • 制造商:-
  • 产品种类:MOSFET
  • 晶体管极性:N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:30 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
产品属性
描述MOSFET OptiMOS2 PWR-MOSFET N-CH漏极连续电流100 A
电阻汲极/源极 RDS(导通)3.9 m Ohms配置Single Quad Drain Triple Source
最大工作温度+ 150 C安装风格SMD/SMT
封装 / 箱体TDSON封装Reel
下降时间6 ns最小工作温度- 55 C
功率耗散2.8 W上升时间8 ns
工厂包装数量5000典型关闭延迟时间39 ns
零件号别名BSC027N03SGXT

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