| 描述 | MOSFET N-KANAL POWER MOS | 漏极连续电流 | 21 A |
|---|---|---|---|
| 电阻汲极/源极 RDS（导通） | 2.8 mOhms | 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 最大工作温度 | + 150 C | 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 / 箱体 | TDSON | 封装 | Reel |
| 下降时间 | 8.8 ns | 最小工作温度 | - 55 C |
| 功率耗散 | 2500 mW | 上升时间 | 8.8 ns |
| 工厂包装数量 | 5000 | 典型关闭延迟时间 | 23 ns |
| 零件号别名 | BSC028N03MSCGATMA1 BSC028N03MSCGXT SP000507426 |
