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  • BSC100N03LSG

BSC100N03LSG

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSC100N03LS G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单路
  • 系列:OptiMOS?

参考价格

  • 数量单价
  • 5000+$0.2737
  • 10000+$0.2635
  • 25000+$0.2534
  • 50000+$0.2493
  • 125000+$0.2432
产品属性
描述MOSFET N-CH 30V 44A TDSON-8FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C10 毫欧 @ 30A, 10V
漏极至源极电压(Vdss)30V电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C44A
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.2V @ 250?A闸电荷(Qg) @ Vgs17nC @ 10V
在 Vds 时的输入电容(Ciss)1500pF @ 15V功率 - 最大30W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8 (5.15x6.15)包装带卷 (TR)
其它名称BSC100N03LSGINTR BSC100N03LSGXT SP000275117

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