您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > bsc123n10ls g
  • BSC123N10LS G

BSC123N10LS G

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSC123N10LS G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$1.04871
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点逻辑电平门漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C71A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C12.3 毫欧 @ 50A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 72?A闸电荷(Qg) @ Vgs68nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds4900pF @ 50V功率 - 最大114W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)包装带卷 (TR)
其它名称SP000379612

bsc123n10ls g的相关型号: