| 描述 | MOSFET N-CH 250V 10.9A 8TDSON | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 10.9A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 165 毫欧 @ 5.5A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 32?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11.4nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 920pF @ 100V | 功率 - 最大 | 62.5W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSC16DN25NS3GBSC16DN25NS3GTRSP000781782 |
