您的位置:维库电子商城 > 分离式半导体产品 > FET - 单 > bsc440n10ns3 g
  • BSC440N10NS3 G

BSC440N10NS3 G

  • 制造商:-
  • 数据列表:BSC440N10NS3 G
  • 标准包装:5,000
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 单
  • 系列:OptiMOS?
  • 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

参考价格

  • 数量单价
  • 5000$0.39115
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点标准型漏极至源极电压(Vdss)100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C18A开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C44 毫欧 @ 12A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)3.5V @ 12?A闸电荷(Qg) @ Vgs10.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds810pF @ 50V功率 - 最大29W
安装类型表面贴装封装/外壳8-PowerTDFN
供应商设备封装PG-TDSON-8(5.15x6.15)包装带卷 (TR)
其它名称SP000482420

bsc440n10ns3 g的相关型号: