| 描述 | MOSFET N-CH 100V 13A TDSON-8 | FET 型 | 2 个 N 沟道（双） |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 标准型 | 漏极至源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 13A | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 75 毫欧 @ 13A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 12?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 720pF @ 50V | 功率 - 最大 | 26W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8（5.15x6.15） | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSC750N10ND G-NDBSC750N10ND GTRSP000359610 |
