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  • BSD235CH6327XT

BSD235CH6327XT

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:N and P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:+/- 20 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 12 V
  • 漏极连续电流:- 530 mA, 950 mA

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥2.55
  • 10¥1.80
  • 100¥1.44
  • 500¥1.08
  • 1000¥0.725
产品属性
描述MOSFET OptiMOS 2,-P 2 Small Signal Transistor电阻汲极/源极 RDS(导通)350 mOhms at +/- 4.5 V
配置Dual最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体SOT-363
封装Reel下降时间3.2 ns, 1.2 ns
栅极电荷 Qg- 0.4 nC, 0.34 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散500 mW上升时间5 ns, 3.6 ns
典型关闭延迟时间5.1 ns, 4.5 ns零件号别名BSD235C BSD235CH6327XTSA1 H6327

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