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BSM150GAL120DN2

制造商：-
产品种类：IGBT 模块
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Half Bridge Module
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V

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产品属性

描述	IGBT 模块 1200V 150A CHOPPER	集电极—射极饱和电压	2.5 V
在25 C的连续集电极电流	210 A	栅极—射极漏泄电流	400 nA
功率耗散	1.25 KW	最大工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	Half Bridge GAL 2	栅极/发射极最大电压	20 V
安装风格	Screw	工厂包装数量	500

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