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BSM15GD120DLCE3224

  • 制造商:-
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Hex
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
  • 集电极—射极饱和电压:2.1 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥398.68
  • 10¥358.80
产品属性
描述IGBT 模块 N-CH 1.2KV 35A在25 C的连续集电极电流35 A
栅极—射极漏泄电流400 nA功率耗散145 W
最大工作温度+ 125 C封装 / 箱体EconoPACK 2A
封装Reel栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C安装风格Screw

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