您的位置:维库电子商城 > 半导体 > 分离式半导体 > bsm200gal120dlc

BSM200GAL120DLC

  • 制造商:-
  • 产品种类:IGBT 模块
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Single
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V
产品属性
描述IGBT 模块 1200V 200A CHOPPER集电极—射极饱和电压2.1 V
在25 C的连续集电极电流420 A栅极—射极漏泄电流400 nA
功率耗散1.4 KW最大工作温度+ 125 C
封装 / 箱体62MM栅极/发射极最大电压+/- 20 V
最小工作温度- 40 C安装风格Screw
工厂包装数量10

bsm200gal120dlc的相关型号: