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  • BSM35GB120DN2

BSM35GB120DN2

  • 制造商:-
  • 产品种类:IGBT 模块
  • 产品:IGBT Silicon Modules
  • 配置:Half Bridge Module
  • 集电极—发射极最大电压 VCEO:1200 V

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥385.92
  • 10¥347.35
产品属性
描述IGBT 模块 1200V 35A DUAL集电极—射极饱和电压3.2 V
在25 C的连续集电极电流50 A栅极—射极漏泄电流150 nA
功率耗散280 W最大工作温度+ 150 C
封装 / 箱体Half Bridge1栅极/发射极最大电压20 V
安装风格Screw工厂包装数量500

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