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BSM50GD120DN2G

制造商：-
产品种类：IGBT 模块
产品：IGBT Silicon Modules
配置：Hex
集电极—发射极最大电压 VCEO：1200 V

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参考价格

数量单价
6￥1,008.85
10￥907.97

产品属性

描述	IGBT 模块 1200V 50A 3-PHASE	集电极—射极饱和电压	2.5 V
在25 C的连续集电极电流	78 A	栅极—射极漏泄电流	200 nA
功率耗散	400 W	最大工作温度	+ 150 C
封装 / 箱体	EconoPACK 3A	栅极/发射极最大电压	20 V
安装风格	Screw	工厂包装数量	500

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