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  • BSP123E6327T

BSP123E6327T

  • 制造商:-
  • 现有数量:0现货
  • 价格:停产
  • 系列:SIPMOS?
  • 包装:卷带(TR)剪切带(CT)
  • 产品状态:停产
产品属性
描述MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)100 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)370mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.8V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)6 欧姆 @ 370mA,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1.8V @ 50μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)2.4 nC @ 10 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)70 pF @ 25 VFET 功能-
功率耗散(最大值)1.79W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-SOT223-4
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA

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