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  • BSP135 E6327

BSP135 E6327

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  • 系列:SIPMOS?
  • 包装:卷带(TR)
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产品属性
描述MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4FET 类型N 通道
技术MOSFET(金属氧化物)漏源电压(Vdss)600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)120mA(Ta)驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)0V,10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)45 欧姆 @ 120mA,10V不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 94μA
不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)4.9 nC @ 5 VVgs(最大值)±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)146 pF @ 25 VFET 功能耗尽模式
功率耗散(最大值)1.8W(Ta)工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
安装类型表面贴装型供应商器件封装PG-SOT223-4
封装/外壳TO-261-4,TO-261AA

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