| 描述 | MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 耗尽模式 | 漏极至源极电压(Vdss) | 200V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 660mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 1.8 欧姆 @ 660mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 1V @ 400?A | 闸电荷(Qg) @ Vgs | 14nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 430pF @ 25V | 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | PG-SOT223-4 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSP149 L6327-NDBSP149L6327INTRBSP149L6327XTSP000089214 |
