| 描述 | MOSFET N-CH 800V 190MA SOT-223 | FET 型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
|---|---|---|---|
| FET 特点 | 逻辑电平门 | 漏极至源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C | 190mA | 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C | 20 欧姆 @ 190mA，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大） | 4V @ 1mA | 闸电荷(Qg) @ Vgs | - |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds | 230pF @ 25V | 功率 - 最大 | 1.8W |
| 安装类型 | 表面贴装 | 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 供应商设备封装 | PG-SOT223-4 | 包装 | 带卷 (TR) |
| 其它名称 | BSP300L6327XTSP000089201 |
