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  • BSS83PH6327XT

BSS83PH6327XT

  • 制造商:-
  • 晶体管极性:P-Channel
  • 汲极/源极击穿电压:- 60 V
  • 闸/源击穿电压:+/- 20 V
  • 漏极连续电流:- 330 mA

参考价格

  • 数量单价
  • 1¥2.35
  • 10¥1.79
  • 100¥1.28
  • 500¥0.897
  • 1000¥0.642
产品属性
描述MOSFET SIPMOS Small Signal Transistor电阻汲极/源极 RDS(导通)2 Ohms at -4.5 V
配置Single最大工作温度+ 150 C
安装风格SMD/SMT封装 / 箱体PG-SOT-23
封装Reel下降时间64 ns
栅极电荷 Qg2.38 nC最小工作温度- 55 C
功率耗散360 mW上升时间71 ns
典型关闭延迟时间56 ns零件号别名BSS83P BSS83PH6327XTSA1 H6327

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