| 描述 | DUAL N+P-CHANNEL MOSFET, SOT-363 | 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
|---|---|---|---|
| 配置 | N 和 P 沟道 | FET 功能 | - |
| 漏源电压（Vdss） | 60V，50V | 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id) | 115mA，130mA |
| 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值） | 2欧姆 @ 500mA，10V，10欧姆 @ 100mA，5V | 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250μA，2V @ 250μA |
| 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)（最大值） | - | 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值） | 50pF @ 25V，30pF @ 25V |
| 功率 - 最大值 | 200mW | 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 | 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 供应商器件封装 | SOT-363 |
